特許

J-GLOBAL ID：200903038937504031

プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及びマルチチャンバシステム

発明者： 藤里 敏章
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-362888
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163206
出願日： 2001年11月28日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】【課題】 処理室内に発生したプラズマによるシール部材の劣化を抑制することができるプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及びマルチチャンバシステムを提供する。【解決手段】 プラズマ処理装置の処理室21の側壁には、半導体ウエハWが搬入及び排出する搬送路42が設けられている。搬送路42は、処理室21の側壁を貫通し、ゲート12を介して第2搬送室5に接続されている。搬送路42の近傍には、搬送路42を閉鎖するように、上下動可能な保護部材51が配置されている。保護部材51の保護板52は、保護部材51が上部に移動した状態で、搬送路42の内壁との間がラビリンス構造となる隙間を有する形状に形成されている。また、ゲート12と保護部材51との間の搬送路42には、ガス供給孔56及びガス供給手段57が接続されている。

請求項（抜粋）：

内部で被処理体に所定のプラズマ処理が施される処理室と、前記処理室内を密閉可能なゲートと前記処理室の内部とを連通し、被処理体を処理室内または処理室外に搬送可能な搬送路と、前記搬送路を閉鎖するように移動可能な保護部材と、を備える、ことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 B

Fターム (8件)：

5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BC05 ,  5F004BC06 ,  5F045DQ17 ,  5F045EB02 ,  5F045EB08 ,  5F045EB09