特許

J-GLOBAL ID：200903038944011920

磁界センサ

発明者： 鈴木 英之 ,  篠浦 治 ,  佐藤 雄一
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 皿田 秀夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-092854
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274598
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 抵抗変化が等方的であり、高感度で、面内(2次元)の磁界に対して等方的に磁界検出が可能な磁界センサを提供する。【解決手段】 磁界検出のための磁気抵抗効果膜を基板の上に備えてなる磁界センサにおいて、前記磁気抵抗効果膜は、線体で描かれるパターン形状をなし、当該パターン形状は、下記式(1)の条件を満たすように、少なくともパターン形状の中に湾曲部または湾曲相当部を有してなるように構成する。ΔH=(HKmax-HKmin)/HKmin ≦0.3 ... 式(1)(上記式(1)において、HKmaxは、磁気抵抗効果膜の面内最大飽和磁界を、HKminは、磁気抵抗効果膜の面内最小飽和磁界を表す)

請求項（抜粋）：

磁界検出のための磁気抵抗効果膜を基板の上に備えてなる磁界センサにおいて、前記磁気抵抗効果膜は、線体で描かれるパターン形状をなし、当該パターン形状は、下記式(1)の条件を満たすように、少なくともパターン形状の中に湾曲部または湾曲相当部を有していることを特徴とする磁界センサ。 ΔH=(HKmax-HKmin)/HKmin ≦0.3 ... 式(1)(上記式(1)において、HKmaxは、磁気抵抗効果膜の面内最大飽和磁界を、HKminは、磁気抵抗効果膜の面内最小飽和磁界を表す)

IPC (2件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09

FI (2件)：

H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-115889
  
• 磁気情報検出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-328678   出願人：ソニー株式会社, ソニーマグネスケール株式会社
• 三次元地磁気方位センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-179322   出願人：ソニー株式会社