特許

J-GLOBAL ID：200903038945053421

半導体装置

発明者： 川原 孝昭 ,  鳥居 和功 ,  北島 洋
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大阿久 敦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-294264
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064317
出願日： 2003年08月18日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】 ゲート電極との反応を抑制し、また、ゲート電極からの不純物の拡散を抑制することのできる、シリコン酸化膜換算膜厚の小さいゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 シリコン基板1上に形成されたゲート絶縁膜6と、ゲート絶縁膜6の上に形成されたゲート電極7とを有する半導体装置において、ゲート絶縁膜6が第1の絶縁膜9と、第1の絶縁膜9の上に形成された第2の絶縁膜10と、第2の絶縁膜10の上に形成された金属窒化膜11とからなる。金属窒化膜11は、AlN膜およびHf3N4膜のいずれか一方とすることができる。また、金属窒化膜11は、2以上の金属の窒化物からなる膜とすることもできる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極とを有する半導体装置において、 前記ゲート絶縁膜は第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜の上に形成された第2の絶縁膜と、 前記第2の絶縁膜の上に形成された金属窒化膜とからなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L29/78 ,  H01L21/316

FI (2件)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/316 M

Fターム (41件)：

5F058BA01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD12 ,  5F058BD15 ,  5F058BF62 ,  5F058BF67 ,  5F058BF75 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA01 ,  5F140AA06 ,  5F140AA24 ,  5F140AA28 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG20 ,  5F140BG28 ,  5F140BG38 ,  5F140BG39 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08