特許

J-GLOBAL ID：200903038946521097

半導体受光素子

発明者： 村本 好史 ,  加藤 和利 ,  石橋 忠夫 ,  清水 直文
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-266224
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112013
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】高出力性と高速性とを同時に有する半導体受光素子において、光吸収層のまわりに光ガイド層を設けた導波路型構造で光を層構造に平行に入射する形態とすることでさらに高効率性も満たす半導体受光素子を提供すること。【解決手段】p型の光吸収層11の両側に、層11よりも広くInPよりも狭いバンドギャップを持つ光ガイド層12、13、14を設け、層14をp型にドーピングし、層12を低濃度にドーピングし、層13をn型にドーピングし、さらに、p型のコンタクト層16とp型のInP層15とn型あるいは半絶縁性のInP層(図1においては半絶縁性のInP基板17がこれを兼ねる)とを設けて導波路構造を形成し、コンタクト層16とn型光ガイド層13の表面に、それぞれ、電極18と19を設ける。

請求項（抜粋）：

光吸収層として作用する第1の導電型の第1の半導体層と、第2の導電型の第2の半導体層と、これらの半導体層に挾まれ、上記第1の半導体層と第2の半導体層よりも低い第2の導電型のドーピング濃度を持つ第3の半導体層と、上記第1の半導体層に接して、上記第3の半導体層の反対側に第1の導電型の第4の半導体層とを設け、上記第2および上記第3および上記第4の半導体層は光吸収層として機能しないように上記第1の半導体層よりも大きなバンドギャップエネルギーを持つように設定した半導体受光素子において、上記第4の半導体層に接して上記第1の半導体層と反対側に第1の導電型の第5の半導体層と、上記第2の半導体に接して上記第3の半導体層と反対側に第2の導電型あるいは半絶縁性の第6の半導体層を設け、上記第5と上記第6の半導体層のバンドギャップエネルギーを上記第2および上記第3および上記第4の半導体層よりも大きく設定することを特徴とする半導体受光素子。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体導波路型受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-155431   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体受光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-212406   出願人：富士通株式会社