特許

J-GLOBAL ID：200903038947196254

InSb薄膜形成方法

発明者： 大橋 則子 ,  松田 俊夫 ,  橋本 秀卓 ,  多良 勝司 ,  本吉 要
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-002586
公開番号（公開出願番号）：特開平6-209130
出願日： 1993年01月11日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】 真空蒸着時に周囲真空度の制御とInとSbの蒸着レートの厳密な制御を必要とせずに安定で、オフセット電圧の増大を招かず、結晶性がよく高移動度で、高感度で、プレーナ構造で集積化する。【構成】 微小な凹凸のあるSi基板1上に積んだ絶縁膜2上の全面に、もしくは絶縁膜2上に所望の活性層のパターニングを行った後に、InおよびSbを各々の蒸着源から蒸着することによりInSb薄膜3を形成し、InSb薄膜3の表面に熱処理保護膜5を形成して熱処理する。熱処理は蒸着した素材のInSbの融点温度より50°C〜0°C低い温度範囲で実施するか、または同融点温度より約100°C低い温度で熱処理後、昇温し、融点温度より50°C〜0°C低い温度領域で熱処理という2段階以上の熱処理を行う。その後電極4を付けホール素子を形成する。

請求項（抜粋）：

微小な凹凸のあるSi基板上に、表面に前記Si基板の凹凸に対応して微小な凹凸が残るSiO2 またはプラズマSi3 N4 からなる絶縁膜を形成し、この絶縁膜上にInおよびSbを各々の蒸着源から蒸着してInSb薄膜を形成することを特徴とするInSb薄膜形成方法。

IPC (4件)：

H01L 43/14 ,  C23C 14/14 ,  H01L 43/06 ,  H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭59-046077
  
• 特開昭49-069074