特許
J-GLOBAL ID：200903038951936963
絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-341967
公開番号（公開出願番号）：特開2001-169534
出願日： 1999年12月01日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 絶縁ゲート型半導体素子の高周波動作を活かすことができ、インバータ等の電力変換装置を安定に駆動する信頼性の高い絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を提供する。【解決手段】 絶縁ゲート型半導体素子10とゲート抵抗11と、NPN型PNP型半導体素子を直列接続したスイッチング素子12、13及びそれらに直列に設けられた抵抗23、24から構成される第lの直列半導体素子と、第1の直列半導体素子それぞれのゲートにつながる抵抗14と、第1の直列半導体素子同様に構成される第2の直列半導体素子15、16とスイッチング制御信号17から所定時間遅延させる遅延回路18、19と、第2の直列半導体素子15、16にはそれぞれに直列に抵抗とコンデンサとの並列体25、26と正負の制御電源P,Nから構成される。
請求項（抜粋）：
絶縁ゲート型半導体素子をオンオフ制御する絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路において、Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続(トーテムポール接続)した第1の直列接続体と、この第1の直列接続体の中点に接続されたゲート抵抗と、前記第1の直列接続体のそれぞれの陽極端子に接続された正負の制御電源と、前記第1の直列接続体を構成する半導体素子のそれぞれの制御極にオンオフ制御信号を供給するスイッチング信号源と、前記正負の制御電源間に接続され、前記絶縁ゲート型半導体素子のゲートに正負の電圧を供給するPチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続した(トーテムポール接続)した第2の直列接続体と、前記スイッチング信号源からのオンオフ制御信号を所定時間遅延し、この遅延したオンオフ制御信号を前記第2の直列接続体を構成する半導体素子のそれぞれの制御極にオンオフ制御信号を供給する回路と、前記第2の直列接続体の半導体素子の各々に接続された抵抗とコンデンサとを有する回路とを具備したことを特徴とする絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路。
Fターム (5件)：
5H740BA11
, 5H740BC01
, 5H740BC02
, 5H740HH06
, 5H740JB02
