特許
J-GLOBAL ID：200903038952116064
移相マスクを用いた高解像度X線リソグラフィー
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-222669
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217865
出願日： 1992年08月21日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 X線リソグラフィー用の移相マスクを提供する。【構成】 移相特性部が形成されたキャリアを備え、移相特性部は、キャリアの表面に対して直立した少なくとも1つの明確に定められた側壁を有している。移相マスク上の特性部の高さは、これを通過するX線の選択された帯域を、移相材料のないキャリアの部分を通過するX線に対して実質的に半波長の移相を与えるように選択される。移相マスクは、基体上のホトレジストより成るターゲットの上に至近配置され、好ましくはサイクロトロン放射により形成されたX線が透過される。マスクを通してホトレジストに送られたコリメートされたX線は、直立側壁から離れたホトレジストの領域を、現像剤によりそれらを除去するに充分なほど露光し、これに対して、直立側壁の下の領域は、回折作用によってX線が打ち消され、現像後も基体上に残されたままとなる。
請求項（抜粋）：
(a)上面及び下面を有し、透過するX線を実質的に減衰しない薄い材料のキャリアと、(b)上記キャリアの表面上に形成された少なくとも1つの移相特性部とを備え、この特性部は、透過するX線の選択された帯域をそのX線の実質的に半波長だけ移相するように選択した高さをもつX線移相材料の領域によって画成され、更に、この特性部は、上記キャリアの表面に対して実質的に直立した少なくとも1つの明確に定められた側壁を有し、マスク上に上記特性部を形成する材料がPMMAであることを特徴とするX線リソグラフィーマスク。
IPC (2件)：
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