特許

J-GLOBAL ID：200903038955031752

化合物半導体薄膜の製造方法および製造装置

発明者： 井上 浩伸 ,  山西 斉 ,  横山 政秀 ,  根上 卓之 ,  和田 隆博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-065201
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260724
出願日： 1998年03月16日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】 III族としてInおよびGaを含むI-III-VI族化合物半導体薄膜を、組成制御性に優れ、膜欠陥が少ない状態で成膜できる方法および装置を提供する。【解決手段】 Cuターゲット31、CuとGaとからなるターゲット32、およびInターゲット33を含むスパッタリングターゲットからI族元素およびIII族元素を供給し、SeおよびSから選ばれる少なくとも1つからなる蒸着源34からVI族元素を供給することにより、化合物半導体薄膜を成膜する。

請求項（抜粋）：

I族元素、III族元素およびVI族元素からなり、前記III族元素としてInおよびGaを含む化合物半導体薄膜の製造方法であって、Cuターゲット、Inターゲット、およびCuとGaとからなるターゲットを含むスパッタリングターゲットから前記I族元素および前記III族元素を供給し、SeおよびSから選ばれる少なくとも1つからなる蒸着源から前記VI族元素を供給することを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/24 ,  C23C 14/34 ,  H01L 31/04

FI (6件)：

H01L 21/203 S ,  C23C 14/24 E ,  C23C 14/24 Z ,  C23C 14/34 A ,  C23C 14/34 Z ,  H01L 31/04 E