特許

J-GLOBAL ID：200903038956747433

半導体装置

発明者： 堀江 光生
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-238021
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084120
出願日： 1996年09月09日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】 順方向電圧、逆方向電流が低くて消費電力が低い半導体装置を提供する。【解決手段】 高不純物濃度のシリコン製の半導体基板11と、この半導体基板11の上部に形成された半導体基板11より低不純物濃度のエピタキシャル層12と、このエピタキシャル層12の表面に被着されたショットキー障壁値が異なる第1のバリアメタルのTiが島状に被着された第1のバリアメタル層15と、第1のバリアメタル層15を覆うように第2のバリアメタルのMoを被着して形成された第2のバリアメタル層16とを備えていることによって、逆方向電流をバリアメタル層をTiのみで形成したものより低いものとすることができると共に、順方向電圧も低いものとすることができて、消費電力を低くすることができる。

請求項（抜粋）：

高不純物濃度の半導体基板と、この半導体基板の上部に形成された該半導体基板より低不純物濃度のエピタキシャル層と、このエピタキシャル層の表面に被着された第1のバリアメタル層と、この第1のバリアメタル層を覆うように前記エピタキシャル層の表面に被着された第2のバリアメタル層とを具備し、前記第1及び第2のバリアメタル層はショットキー障壁値がそれぞれ異なることを特徴とする半導体装置。