特許

J-GLOBAL ID：200903038969053511

ポリイミド系樹脂膜のレジスト剥離残り除去液およびポリイミド系樹脂膜パターンの製造法

発明者： 瀧澤 寿夫 ,  山岸 智明
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-102654
公開番号（公開出願番号）：特開平7-311469
出願日： 1994年05月17日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：

【要約】【目的】 ポリイミド系樹脂のパターニングの際に生ずるレジスト剥離残りを除去するためのレジスト剥離残り除去液およびこの除去液を用いたポリイミド系樹脂膜パターンの製造法を提供する。【構成】 エーテル化合物またはスルホン化合物を含むポリイミド系樹脂膜のレジスト剥離残り除去液およびポジレジストをマスク材にしてポリイミド系樹脂膜をエッチング加工後、ポジレジストを有機系溶剤によって剥離する際に生じるレジスト剥離残りをこのレジスト剥離残り除去液によって除去するポリイミド系樹脂膜パターンの製造法。

請求項（抜粋）：

一般式【化1】(ただし、R1およびR2は水素または炭素数1〜6のアルキル基でR1およびR2は同じでもよく、nは1〜3の整数である)で示されるエーテル化合物の少なくとも一つを主成分として含むポリイミド系樹脂膜のレジスト剥離残り除去液。

IPC (6件)：

G03F 7/42 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/34 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/308