特許
J-GLOBAL ID：200903038969076708
磁気センサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-062201
公開番号（公開出願番号）：特開平9-251618
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：
【要約】【課題】 磁界を検出する磁気センサ、特に、スピントンネル現象を利用した磁気センサに関し、信号対雑音比を向上し、磁界感度の高い磁気センサを提供する。【解決手段】 磁気センサの基本構造は、反強磁性材料からなる反強磁性体層11、保磁力の大きな強磁性材料からなる強磁性体層12、絶縁材料からなる絶縁体層13、保磁力の小さな軟磁性材料からなる軟磁性体層14、絶縁体層15、保磁力の大きな強磁性材料からなる強磁性体層16、反強磁性材料からなる反強磁性体層17が順番に積層された積層体10である。強磁性体層12と軟磁性体層14とによりトンネル接合が構成され、強磁性体層16と軟磁性体層14とによりトンネル接合が構成される。
請求項（抜粋）：
磁化容易軸が第1の方向である第1の磁性体層と、磁化容易軸が前記第1の方向と異なる第2の方向である第2の磁性体層と、前記第1の磁性体層と前記第2の磁性体層の間に位置し、前記第1の磁性体層及び前記第2の磁性体層よりも保磁力の小さい第3の磁性体層と、前記第1の磁性体層と前記第3の磁性体層の間に挿入された第1の絶縁体層と、前記第2の磁性体層と前記第3の磁性体層の間に挿入された第2の絶縁体層とを有し、前記第1の磁性体層と前記第3の磁性体層間のトンネル抵抗と、前記第2の磁性体層と前記第3の磁性体層間のトンネル抵抗とに基づいて外部磁界を検出することを特徴とする磁気センサ。
引用特許：
前のページに戻る
