特許
J-GLOBAL ID：200903038973636599
電子源装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-175037
公開番号（公開出願番号）：特開平5-128999
出願日： 1991年07月16日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】 本発明は電子源装置に関し、半導体で構成され電子を発生する陰極に相当する部分に電子のエネルギを揃える機能をもたせ、自由空間に出射された電子にエネルギ分布がないようにすることを目的とする。【構成】 n+ -GaAs基板21上に形成されたRTB層23と、そのRTB層23上に積層形成され電子の共鳴準位からみて電子親和力を負にする為のCs層25及びCs2 O層26とを備えた陰極部分をもつよう構成する。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板上に形成され化合物半導体ヘテロ構造をなす共鳴トンネリング・バリヤ層と、該共鳴トンネリング・バリヤ層上に積層形成され電子の共鳴準位からみて電子親和力を負にする為のCs層及びCs2 O層とを備えた陰極部分を含んでなることを特徴とする電子源装置。
IPC (3件)：
H01J 49/08
, H01J 27/02
, H01L 21/027
