特許
J-GLOBAL ID：200903038973698250
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小杉 佳男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-116055
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232391
出願日： 1993年05月18日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】ゲート酸化膜の膜厚の増加を防止すると共にゲート酸化膜の膜質の劣化を防止し、設計どおりのデバイス特性を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】Si基板11の上にゲート酸化膜12を形成し、このゲート酸化膜12の上に多結晶Si膜21を形成し、この多結晶Si膜21の上にタングステンシリサイド膜24を形成する。この多結晶Si膜21を構成する各結晶粒21a,21b,21cは、膜厚方向に延びる柱状組織であり、しかも垂直断面方向から見た結晶粒界間隔がこの多結晶Si膜21の膜厚以上である結晶構造を有している。
請求項（抜粋）：
多結晶Si膜及び該多結晶Si膜の上に形成された高融点金属シリサイド膜からなるポリサイド構造を有する半導体装置において、前記多結晶Si膜が、該多結晶Si膜の一部もしくは全部の組織が膜厚方向に延びる柱状組織であると共に該多結晶Si膜の垂直断面方向から見た結晶粒界間隔が該多結晶Si膜の膜厚以上である結晶構造を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, H01L 21/28 301
, H01L 21/28
