半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-291461
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129452
出願日： 1991年11月07日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】歩留まりの良い半導体装置の製造方法を得る。【構成】 p型シリコン基板1の主表面の第1の絶縁膜5,6にコンタクトホール7を設け、このウエハの上にタングステン膜8を形成し、少なくとも第1の絶縁膜上のタングステン膜8中にAsイオン12を注入し、少なくとも第1の絶縁膜上のタングステン膜8をエッチングして除去する。【効果】イオン注入によりタングステン膜のグレインが打ち砕かれて微細な粒子となるので、タングステン膜エッチング除去時の残渣の発生が少なくなり、歩留まりの良い半導体装置が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面上の第1の絶縁膜にコンタクトホールを設ける工程と、上記第1の絶縁膜上及び上記コンタクトホール内に高融点金属膜を生成する工程と、少なくとも上記第1の絶縁膜上の上記高融点金属膜中に不純物をイオン注入する工程と、少なくとも上記第1の絶縁膜上の前記高融点金属膜をエッチングして除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/90 , H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

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