特許

J-GLOBAL ID：200903038979588405

パターン形成方法及びパターン形成装置

発明者： 榎本 隆 ,  林 専一 ,  島宗 正幸 ,  村田 辰雄
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 近島 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-180948
公開番号（公開出願番号）：特開平7-140669
出願日： 1993年06月24日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】2層のパターンを重ねて形成する場合に、熱的な変化に伴うピッチずれを防止する。【構成】フォトマスク3の熱膨張係数と、基板4の熱膨張係数とをほぼ等しくする。これにより、1回目の露光から2回目の露光まで基板4及びフォトマスク3が熱膨張した場合でも、基板4及びフォトマスク3の相対的な寸法はあまり変化しない。

請求項（抜粋）：

基板上に塗布したフォトレジストに、フォトマスクを介してパターン露光を行い、所定のパターンを形成するパターン形成方法において、基板の熱膨張係数とフォトマスクの熱膨張係数とがほぼ等しく、それらの熱膨張係数の差が20×10-7/deg以下である、ことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/20 ,  H01L 21/027 ,  C23F 1/00 102

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-289118
  
• 特開昭62-169330
  
• 特開昭63-169330