半導体素子の保護回路ならびにこれを有する半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-175055
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101080
出願日： 1993年02月22日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】高速スイッチング用高入力インピーダンスを有する過熱保護または過電流保護内蔵パワーMOSFETを提供すること。【解決手段】第1のスイッチング素子M0の入力端子4と駆動回路10の間に第2のスイッチング素子M7を設け、入力端子4に第3のスイッチング素子M5を設け、第1の素子M0の温度または電流検出回路12を設け、温度または電流検出回路12により、第3の素子M5をオン、第2の素子M7をオフまたは高インピーダンスとする。【効果】第1の素子M0が過熱または過電流の状態になると制御回路11により、第2の素子M7がオフ、第3の素子M5がオンとなり、第1の素子M0の入力端子4が外部端子2から遮断される。この時の保護動作時の第2の素子M7の低電流が第3の素子M5によりバイパスされ、第1の素子M0を高速に遮断できる。

請求項（抜粋）：

パワーMOSFETのドレイン領域を形成する第1導電型半導体基板に保護回路が内蔵された半導体装置において、上記保護回路は上記第1導電型と第2導電型のMOSFETを具備し、上記保護回路の上記第2導電型のMOSFETを形成する上記第1導電型のウエルは絶縁層を介して上記第1導電型基板内に形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/08 331 , H01L 29/786 , H03K 17/08

FI (7件)：

H01L 29/78 652 R , H01L 27/08 331 A , H03K 17/08 C , H01L 27/04 C , H01L 29/78 623 Z , H01L 29/78 656 E , H01L 29/78 657 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭60-100469
特開昭64-004058

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