特許

J-GLOBAL ID：200903038980751859

表面傾斜検出装置及び表面傾斜検出工程を備える半導体デバイス製造方法

発明者： 加藤 正紀
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 宮川 貞二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-048821
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008193
出願日： 1998年02月13日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】 表面の傾斜を短時間で検出することができる表面傾斜検出装置と表面傾斜検出工程を備えるデバイス製造方法を提供する。【解決手段】 所定の基準面(例えばXY平面)に対する被検面Wの傾斜を検出する表面傾斜検出装置において、被検面W上の第1の検出箇所101に向けて光を照射する照射光学系111〜114と、第1の検出箇所101で反射した光を被検面W上の第2の検出箇所102へ導く再照射光学系116、201〜206、117と、被検面W上の第2の検出箇所102から反射した光を受光面上に集光する検出光学系123、124と、前記受光面での受光光の変位を光電的に検出する光電検出部126〜128とを有する表面傾斜検出装置。照射光学系から照射される光に、第1の検出箇所と第2の検出箇所との情報を与えることができ、その光により被検面の傾斜を求めることができる。

請求項（抜粋）：

所定の基準面に対する被検面の傾斜を検出する表面傾斜検出装置において;前記被検面上の第1の検出箇所に向けて光を照射する照射光学系と;前記第1の検出箇所で反射した光を前記被検面上の第2の検出箇所へ導く再照射光学系と;前記被検面上の第2の検出箇所から反射した光を受光面上に集光する検出光学系と;前記受光面での受光光の変位を光電的に検出する光電検出部とを有することを特徴とする;表面傾斜検出装置。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G01B 11/26 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/68

FI (4件)：

H01L 21/30 526 B ,  G01B 11/26 H ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/68 F