特許

J-GLOBAL ID：200903038986530625

半導体処理技術

発明者： ジャイム ヌルマン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-164624
公開番号（公開出願番号）：特開2001-143980
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、ウェーハ製造プロセスのための製造環境(110)、並びに制御限界を設定すると共に生産ランの測定データを取得するSPC環境(112)を提供する。【解決手段】 演算環境(114)はSPCデータを処理し、該データは次いで分析環境(116)において分析される。MES環境(118)は分析の結果を評価し、プロセスが制御限界から外れていれば、プロセス介入を自動的に実行する。加えて、本発明は、電力管理システム,スペア部品インベントリ及びスケジューリングシステム,及びウェーハ製造プロセスシステムに備えている。これらのシステムはアルゴリズム(735,1135及び1335)を用いている。

請求項（抜粋）：

製造プロセスにおける処理欠陥に応答する方法であって、a)統計的プロセス制御手順を前記製造プロセスと統合し、b)前記製造プロセスの制御限界を決定し、c)前記製造プロセスが前記制御限界内で実行されないときに前記統計的プロセス制御手順を通じて前記製造プロセスで自動的に介入する、方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/54

FI (3件)：

H01L 21/02 Z ,  C23C 14/34 U ,  C23C 14/54 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

• タンデム型処理室
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-317149   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド