特許

J-GLOBAL ID：200903038986669348

ダイヤモンド電界効果トランジスタ

発明者： 宮田 浩一 ,  斉藤 公続
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-018788
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232388
出願日： 1993年02月05日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 トランジスタコンダクタンスが大きく、理想的なトランジスタの電流-電圧特性を持つダイヤモンド電界トランジスタを提供する。【構成】 ソース電極4に接触した第1の半導体ダイヤモンド層1と、ドレイン電極6に接触し、第1の半導体ダイヤモンド層1と同一導電型の第2の半導体ダイヤモンド層3とを有する。そして、高抵抗ダイヤモンド層2が、第1及び第2の半導体ダイヤモンド層1,3の間に設けられ、ゲート電極5の作用を受ける。この高抵抗ダイヤモンド層2は厚さが10Å乃至1mmであり、その比抵抗は102Ω・cm以上である。

請求項（抜粋）：

ソース電極に接触した第1の半導体ダイヤモンド層と、ドレイン電極に接触し前記第1の半導体ダイヤモンド層と同一導電型の第2の半導体ダイヤモンド層と、ゲート電極の作用を受ける領域であって前記第1及び第2の半導体ダイヤモンド層の間の領域に設けられ厚さが10Å乃至1mmで102Ω・cm以上の電気抵抗を有する高抵抗ダイヤモンド層とを備え、これらの第1及び第2の半導体ダイヤモンド層並びに高抵抗ダイヤモンド層によりチャネル領域が構成されることを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 29/804

FI (2件)：

H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/80 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-120865
  
• 特開平3-094429
  
• 特開平3-012935