特許

J-GLOBAL ID：200903038986718098

化合物半導体素子およびその製造方法

発明者： 渡邊 信幸
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-138574
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332616
出願日： 2002年05月14日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】 保護膜として十分な能力を持った窒化シリコン膜を備えた化合物半導体素子およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 メサエッチング又はハーフダイシングを行って、チップ本体の側面をなすべき溝9を形成した後、プラズマCVD法により、チップ本体の上面および側面を覆うように保護膜としての窒化シリコン膜(SiN膜)を形成する。この窒化シリコン膜は、屈折率が1.80〜1.90の範囲内であり、かつ水素含有率が20%未満である。

請求項（抜粋）：

化合物半導体材料からなるチップ本体の少なくとも上面の上に、保護膜としてプラズマCVD法による窒化シリコン膜が形成された化合物半導体素子であって、上記窒化シリコン膜は、屈折率が1.80乃至1.90の範囲内であり、かつ水素含有率が20%未満であることを特徴とする化合物半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/318

FI (2件)：

H01L 33/00 A ,  H01L 21/318 B

Fターム (15件)：

5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA67 ,  5F041CA76 ,  5F041CB11 ,  5F041CB36 ,  5F058BA07 ,  5F058BB01 ,  5F058BC08 ,  5F058BF07 ,  5F058BJ03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-226181
  
• 半導体素子の表面保護膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-138455   出願人：シャープ株式会社