特許
J-GLOBAL ID：200903038988402110
誘電体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-123286
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316098
出願日： 1995年05月23日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 誘電体薄膜の製造方法に関し、簡単な製造方法によって高誘電率のペロブスカイト構造のPMN-PT薄膜を再現性良く製造する。【構成】 Mg<SB>x </SB>Nb<SB>2 </SB>O<SB>6 </SB>ターゲット(但し、1≦x<2)、TiO<SB>2 </SB>またはTiターゲット、及び、PbOまたはPbターゲットの複数のターゲットを用いた反応性スパッタリング法によって基板1上に〔Pb(Mg<SB>1/3 </SB>Nb<SB>2/3 </SB>)O<SB>3</SB>〕<SB>y </SB>と〔PbTiO<SB>3 </SB>〕<SB>1-y </SB>との2元固溶体からなるペロブスカイト構造のPMN-PT薄膜5(但し、0.65≦y<1)を堆積させる。
請求項（抜粋）：
〔Pb(Mg<SB>1/3 </SB>Nb<SB>2/3 </SB>)O<SB>3 </SB>〕<SB>y </SB>と〔PbTiO<SB>3 </SB>〕<SB>1-</SB><SB>y </SB>との2元固溶体からなるペロブスカイト構造の強誘電体薄膜(但し、0.65≦y<1)をMg<SB>x </SB>Nb<SB>2 </SB>O<SB>6 </SB>ターゲット(但し、1≦x<2)、TiO<SB>2 </SB>またはTiターゲット、及び、PbOまたはPbターゲットからなる複数のターゲットを用いた反応性スパッタリング法によって基板上に堆積させることを特徴とする誘電体薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
H01G 4/33
, H01G 4/12 400
H01G 4/06 102
, H01G 4/12 400
