特許

J-GLOBAL ID：200903038990142893

Fe-V-Al系薄膜抵抗体及びその形成方法

発明者： 大迫 敏行 ,  小向 哲史
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 河備 健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-116521
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327514
出願日： 2003年04月22日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

【課題】従来の金属系薄膜抵抗体に比べて高比抵抗、低抵抗温度係数で、かつ良好な靭性、延性及び基板密着性を有する薄膜抵抗体及びその形成方法を提供する。【解決手段】電気的に絶縁性を有する基板表面に形成されるFe-V-Al系合金膜からなる薄膜抵抗体であって、前記Fe-V-Al系合金が、Feを主成分としてVを10〜15重量%及びAlを12〜16重量%含み、かつ前記Fe-V-Al系合金膜の膜厚が0.05〜5.0μmである薄膜抵抗体であり、Fe、V及びAlからなるターゲットを用いて、アルゴン雰囲気中で成膜装置により基板表面に上記合金膜を形成させる方法などによって提供。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

電気的に絶縁性を有する基板表面に形成されるFe-V-Al系合金膜からなる薄膜抵抗体であって、 前記Fe-V-Al系合金が、Feを主成分としてVを10〜15重量%及びAlを12〜16重量%含み、かつ前記Fe-V-Al系合金膜の膜厚が0.05〜5.0μmであることを特徴とする薄膜抵抗体。

IPC (2件)：

H01C7/00 ,  H01C17/06

FI (2件)：

H01C7/00 D ,  H01C17/06 M

Fターム (8件)：

5E032BA15 ,  5E032BB01 ,  5E032CB01 ,  5E032CC06 ,  5E033AA43 ,  5E033BB02 ,  5E033BC01 ,  5E033BD01