特許

J-GLOBAL ID：200903038990748813

半導体装置

発明者： 崔 宰豪 ,  斉藤 克明 ,  福田 琢也 ,  大上 三千男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-342726
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175422
出願日： 1991年12月25日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】多層の強・高誘電体薄膜を形成する。【構成】多層の強誘電体及び高誘電体薄膜を金属膜の間に形成させることによって、所望の誘電特性を有するランダムアクセスメモリ,不揮発性メモリ等に有用な強誘電体及び高誘電体薄膜を得る。【効果】本発明によれば、所望の誘電特性を有し、ランダムアクセスメモリ,不揮発性メモリ等に有用な強誘電体及び高誘電体を再現性よく製造し得る。

請求項（抜粋）：

半導体の基板上に酸化物誘電体膜と2個以上の半導体又は金属よりなる半導体装置において、上記誘電体膜が異なる多層の強誘電体よりなり、その下層の強誘電体膜がその上部の誘電体膜よりも組成となる金属元素数が少ないことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/04 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/10 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 29/78 371