特許

J-GLOBAL ID：200903038993458077

半導体装置の製造方法

発明者： 佐藤 雅幸
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-187939
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037067
出願日： 1992年07月15日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 マイクロローディング効果および基板ダメージの抑制を図る。【構成】 冷却装置1は、冷却されたヘリウムガスをウエハ3と下部電極4との間に供給して下部電極4を-60°Cに冷却してウエハ3を冷却する。上部電極7と下部電極4との間に高周波を印加してプラズマエッチングを実施する。こうして、下部電極4の温度を-60°Cに維持してプラズマエッチングを実施することによって、エッチングガスとしてフロロカーボン系ガスを用いた際におけるマイクロローディング効果および基板ダメージを抑制する。

請求項（抜粋）：

ドライエッチングによって微小ホールを形成するドライエッチング工程を有する半導体の製造方法において、上記ドライエッチング工程を実施するに際して、ウエハ電極の温度を-60°C乃至-65°Cとしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-045526
  
• 特開昭63-115338
  
• 特開平4-061333
  
• 特開平4-029316