特許
J-GLOBAL ID：200903038995117080
磁気抵抗効果素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-053533
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067820
出願日： 1992年03月12日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【目的】大きな磁気抵抗変化率を有し、超高真空を用いない通常の薄膜形成装置で成膜しても十分に実用化することができる磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。【効果】Fe,Co及びNiからなる磁性元素群から選択される少なくとも2種を含む磁性層3と、非磁性層2とを交互に積層した積層体を基板1上に形成して磁気抵抗効果素子とする。この積層体において、隣合う磁性層3同士が、磁場が実質的に存在しない状態で、反強磁性的に結合している。
請求項（抜粋）：
Fe,Co及びNiからなる磁性元素群から選択される少なくとも2種を含む磁性層と、非磁性層とを交互に積層した積層体を有し、この積層体において隣合う磁性層同士が、磁場が実質的に存在しない状態で、反強磁性的に結合していることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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