特許

J-GLOBAL ID：200903038999698592

半導体レーザ素子

発明者： 高橋 孝志
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-223611
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040857
出願日： 1998年07月23日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】 閾電流を増加させずにp側電極とp型半導体層との接触抵抗を低減させる。【解決手段】 半絶縁体であるサファイア基板101上に、AlN低温バッファ層102、ノンドープGaNバッファ層103、Al0.2Ga0.8N下部クラッド層104、In0.15Ga0.85N活性層105、Al0.2Ga0.8N上部クラッド層106、GaNコンタクト層107が順次積層される。Al0.2Ga0.8N下部クラッド層104からGaNコンタクト層107に至る領域のうち、左側(図中格子縞部)はp型不純物が不活性化しているため、n型層となっており、一方、右側領域(図中斜線部)は、電子線照射によりp型不純物が活性化され、p型層となっている。pn接合面上のGaNコンタクト層107はエッチングによって除去され、n側電極109及びp側電極110がGaNコンタクト層107上に形成される。

請求項（抜粋）：

半絶縁層または高抵抗層が形成された単結晶基板上の前記半絶縁層または高抵抗層側に、少なくともAlGaN下部クラッド層,InGaN活性層,AlGaN上部クラッド層,及びGaNコンタクト層がこの順に積層され,さらに電極層が配されてなる半導体レーザ素子であって、前記AlGaN下部クラッド層,前記AlGaN上部クラッド層,及び前記GaNコンタクト層のそれぞれは、p型不純物及びn型不純物の両方を含み、前記GaNコンタクト層から積層方向に前記AlGaN下部クラッド層に至る領域が、前記p型不純物が活性化したp型領域と、前記p型不純物が不活性化したn型領域とに分割され、前記電極層として、前記p型領域における前記GaNコンタクト層上にp側電極が配され、前記n型領域の前記GaNコンタクト層上にn側電極が配されていることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/30 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Fターム (12件)：

5F041AA03 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA73 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB06 ,  5F073CB19 ,  5F073DA11 ,  5F073EA23