特許

J-GLOBAL ID：200903039003922838

薄膜処理方法及び薄膜処理システム

発明者： 大西 正 ,  濱 学 ,  本多 稔 ,  光岡 一行 ,  岩下 光秋
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 小原 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-064855
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253749
出願日： 2003年03月11日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：

【課題】従来のレジスト膜や層間絶縁膜の成膜を行う場合には、膜厚を均一に整えることが難しく、例えばスピンコータを用いるSOD膜を塗布すると、図9の(a)に示すようにSOD膜の膜厚が不均一になり、この状態がそのまま残る。【解決手段】本発明の成膜方法は、第1、第2、第3電子ビーム管43A、43B、43CからウエハWに形成されたSOD膜に電子ビームBを照射する際に、第1、第2、第3電子ビーム管43A、43B、43Cそれぞれの出力を図6の(a)に示す膜厚分布に応じて同図の(b)に示すようにブロック毎に制御してドーズ量を変える。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

複数の電子ビーム管から被処理体に形成された膜に電子ビームを照射して膜厚を整える工程を備えた薄膜処理方法であって、上記工程において、上記複数の電子ビーム管それぞれの出力または照射時間を上記膜厚の分布に応じて個別に制御することを特徴とする薄膜処理方法。

IPC (2件)：

H01L21/02 ,  H01L21/312

FI (2件)：

H01L21/02 Z ,  H01L21/312 A

Fターム (4件)：

5F058AA03 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG10