特許

J-GLOBAL ID：200903039004893130

高純度金属Siの製造方法及びこれに用いる製造装置

発明者： 山内 睦文 ,  藤澤 敏治 ,  棚橋 満 ,  森 広司 ,  坂田 雅史
出願人/特許権者： 山内 睦文 ,  大同特殊鋼株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-080471
公開番号（公開出願番号）：特開2001-261323
出願日： 2000年03月22日
公開日（公表日）： 2001年09月26日
要約：

【要約】【課題】金属Siから不純物のB,Cを短時間に効率良く除去できる高純度金属Siの製造方法と、これに用いられ且つ装置構成が容易で簡便な高純度金属Siの製造装置を提供する。【解決手段】金属Siをプラズマ溶解するに際し、るつぼ20内の金属Siの溶湯に対しプラズマトーチ10から水蒸気(H2O)を添加することにより、上記金属Si中のB,Cを酸化してBO,COガスとすると共に、併せて上記トーチ10を経て添加するNH3ガスから分解した水素(H2)ガスの気泡中に上記BO,COガスを取り込んで金属Siの溶湯から除去する高純度金属Siの製造方法。

請求項（抜粋）：

金属Siをプラズマ溶解するに際し、金属Siの溶湯に水蒸気を添加することにより、上記金属Si中のB,CをBO,COに酸化すると共に、併せて添加するNH3ガスから生じる水素ガスの気泡中に上記BO,COガスを取り込んで除去する、ことを特徴とする高純度金属Siの製造方法。

IPC (2件)：

C01B 33/037 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

C01B 33/037 ,  H01L 31/04 X

Fターム (14件)：

4G072AA01 ,  4G072GG03 ,  4G072GG04 ,  4G072HH01 ,  4G072LL05 ,  4G072MM08 ,  4G072MM38 ,  4G072NN02 ,  4G072RR22 ,  4G072RR25 ,  4G072UU02 ,  5F051AA01 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30