電界発光素子及びその製造方法、電界発光表示装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山本秀策 , 安村高明 , 森下夏樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-130715
公開番号（公開出願番号）：特開2006-318910
出願日： 2006年05月09日
公開日（公表日）： 2006年11月24日
要約：

【課題】カソード共通電極と共に補助共通電極を形成し、カソード共通電極が劣化されることを防止するだけではなく、補助共通電極を通して電流を流れるようにするため、カソード共通電極の透過率を極大化できるトップエミッションの電界発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の電界発光素子の製造方法は、薄膜トランジスタがパターニングされた基板と、前記基板上に形成され、前記薄膜トランジスタと電気的に接続された第1電極と、前記第1電極上に形成された発光部と、前記発光部上に形成された第2電極と、前記第2電極の一部領域上に形成され、その一部領域は、非発光領域の一部を含むように形成された補助共通電極とを含む。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタを含む基板と、該基板上に形成され、前記薄膜トランジスタと電気的に接続された第1電極と、該第1電極上に形成された発光部と、該発光部上に形成された第2電極と、該第2電極の一部領域上に形成され、その一部領域は、非発光領域の一部を含むように形成された補助共通電極とを含むことを特徴とする電界発光素子。

IPC (7件)：

H05B 33/26 , H05B 33/22 , H01L 51/50 , H05B 33/12 , H05B 33/10 , G09F 9/30 , H01L 27/32

FI (7件)：

H05B33/26 Z , H05B33/22 Z , H05B33/14 A , H05B33/12 B , H05B33/10 , G09F9/30 338 , G09F9/30 365Z

Fターム (31件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC05 , 3K107CC21 , 3K107DD03 , 3K107DD23 , 3K107DD27 , 3K107DD29 , 3K107DD37 , 3K107DD39 , 3K107DD44Y , 3K107DD44Z , 3K107DD46Y , 3K107DD46Z , 3K107DD89 , 3K107DD90 , 3K107EE03 , 3K107EE46 , 3K107FF04 , 3K107FF15 , 3K107GG04 , 5C094AA04 , 5C094AA10 , 5C094AA21 , 5C094AA33 , 5C094AA37 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094DA20 , 5C094DB04 , 5C094DB10

引用特許：

審査官引用 (6件)

自己発光型表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-122884 出願人：株式会社東芝
平板表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-374205 出願人：三星エスディアイ株式会社
表示装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-175304 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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