特許
J-GLOBAL ID：200903039011862739
薄膜磁性体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-057459
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257174
出願日： 2002年03月04日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】 磁気的なノイズによる非選択メモリセルへのデータ誤書込を防止した動作信頼性の高い薄膜磁性体記憶装置を提供する。【解決手段】 各ライトワード線WWLの一端は、ライトドライブ回路WWDによって選択的に電源電圧Vccと接続され、他端は接地電圧Vssと接続される。ライトドライブ回路WWDは、1行ごとに交互配置される。ライトドライブ回路WWDjは、第j行の選択時に、データ書込電流Iwwを供給するためにライトワード線WWLjを電源電圧Vccと接続するトランジスタ101と、隣接行の選択時にライトワード線WWLjを電源電圧Vccと接続するトランジスタ102とを有する。トランジスタ102によって流される磁界キャンセル電流ΔIwwによって、隣接行のデータ書込電流からの漏れ磁界が打ち消される。
請求項（抜粋）：
各々が記憶データに応じた方向に磁化される磁性体を有する複数の磁性体メモリセルが配置されたメモリアレイと、メモリセル行にそれぞれ対応して設けられる複数の書込選択線と、メモリセル列にそれぞれ対応して設けられる複数のデータ線と、列選択結果に応じて、選択された磁性体メモリセルに対応するデータ線に対して、書込まれる記憶データに応じた方向の電流を選択的に流すための書込制御回路と、行選択結果に応じて、前記複数の書込選択線への選択的な電流供給を制御するための行選択回路とを備え、前記行選択回路は、選択行に対応する書込選択線にデータ書込電流を供給するとともに、前記選択行の隣接行に対応する書込選択線に、前記データ書込電流によって生じる漏れ磁界を打ち消すための、前記データ書込電流よりも小さい磁界キャンセル電流を、前記選択行に対応する書込選択線での前記データ書込電流と反対方向に供給し、各前記書込選択線において、前記対応するメモリセル行の選択時における前記データ書込電流と前記隣接行の選択時における前記磁界キャンセル電流とは、同一方向に供給される、薄膜磁性体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C 11/15
, G11C 11/14 A
, G11C 11/14 E
