特許

J-GLOBAL ID：200903039012175280

マイクロレゾネータ及びその製造方法並びに電子機器

発明者： 中島 卓哉
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-141114
公開番号（公開出願番号）：特開2005-323271
出願日： 2004年05月11日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：

【課題】 寄生容量を低減することで共振時により多くの電流が得られるマイクロレゾネータ、及び当該マイクロレゾネータを高い歩留まりで製造することができるマイクロレゾネータの製造方法、並びに当該マイクロレゾネータを備える電子機器を提供する。【解決手段】 マイクロレゾネータ10は、櫛歯部21を有する固定電極22と櫛歯部31を有する固定電極32との間に共振子40が配置された構成である。固定電極22,32にはリード線25,35を介して接続端子26,36がそれぞれ接続されている。共振子40は、櫛歯部23が固定電極22の櫛歯部21と噛み合うよう配置された可動電極24と、櫛歯部33が固定電極32の櫛歯部31と噛み合うよう配置された可動電極34とを有している。以上のマイクロレゾネータ10を構成する各構造体は、絶縁体からなるガラス基板50上に形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板と、当該基板上に設けられた共振子とを備えるマイクロレゾネータであって、 前記基板として絶縁体からなる基板を備えることを特徴とするマイクロレゾネータ。

IPC (4件)：

H03H9/24 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H03H3/007

FI (4件)：

H03H9/24 Z ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H03H3/007 M

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第5025346号明細書(第3欄第37行-第6欄第2行、第6欄第55行-第7欄第52行、図1-図4)
  
• 米国特許第5537083号明細書(第4欄第43行-第10欄第33行、図4-図8)