特許
J-GLOBAL ID：200903039012380401
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-329813
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148380
出願日： 1995年11月24日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【目的】 ウェハ工程にバンプを形成する工程を付加する必要をなくし、実装段階で、半導体素子の電極に関するマスク及びそれに関するデータを必要とする煩雑さをなくし、そして、半導体メーカーと実装メーカーが別であっても、KGD保証、原因究明が容易なるようにする。【構成】 一方の主面にインナーバンプ23が、他方の主面に該インナーバンプと電気的に接続された外部端子24を有するキャリア基板20と、半導体素子1と、からなり、該半導体素子1はその電極5がキャリア基板20のインナーバンプ23に接続されると共に電極形成側の面が接着剤25により接着されてその間が封止されてなる。
請求項（抜粋）：
一方の主面にインナーバンプが、他方の主面に該インナーバンプと配線を介して電気的に接続された外部端子を有するキャリア基板と、半導体素子と、からなり上記半導体素子の電極が上記キャリア基板のインナーバンプに接続されると共に電極形成側の面が接着剤により接着されてその間が封止されてなることを特徴とする半導体装置
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/60
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/60 311 Q
