特許
J-GLOBAL ID:200903039012837363
固体撮像装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
船橋 國則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-375202
公開番号(公開出願番号):特開2005-142251
出願日: 2003年11月05日
公開日(公表日): 2005年06月02日
要約:
【課題】画素ごとにウェルコンタクトを取るための領域と光電変換素子を別々の活性化領域に形成すると、光電変換素子の活性化領域の面積が小さくなるため、その分だけ画素特性が低下する。【解決手段】画素ごとにウェルコンタクトを取る構成の固体撮像装置において、画素20の光電変換素子21やトランジスタ22〜25が形成されるウェルを一定電位に固定するウェルコンタクト領域55を、光電変換素子21と同じ活性化領域42に作り込むことにより、従来素子分離領域に要していた部分を光電変換素子21の活性化領域42に割り当てて、ウェルコンタクト領域55を設けることによって生じる画素特性の低下を最小限に抑えるようにする。【選択図】図3
請求項(抜粋):
光電変換素子と、前記光電変換素子で光電変換された信号を読み出す読み出し手段と、前記読み出し手段によって読み出された信号を増幅する増幅手段とを含む画素が、ウェル内に2次元アレイ状に配置されてなる画素アレイ部と、
前記画素ごとに前記光電変換素子と同じ活性化領域に設けられ、前記ウェルを電気的に一定電位に固定するウェル電位固定手段と
を備えたことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L27/14 A
, H04N5/335 E
, H04N5/335 U
Fターム (16件):
4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118DB16
, 4M118DD10
, 4M118DD12
, 4M118EA15
, 4M118FA06
, 4M118FA28
, 4M118FA34
, 4M118FA35
, 4M118FA42
, 5C024CX35
, 5C024GX01
, 5C024GY31
引用特許:
出願人引用 (5件)
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固体撮像装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-150123
出願人:キヤノン株式会社
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固体撮像装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-365552
出願人:キヤノン株式会社
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半導体装置及び半導体撮像装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-053946
出願人:キヤノン株式会社
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審査官引用 (4件)