特許

J-GLOBAL ID：200903039015012799

炭化ケイ素におけるパワーMOSFET

発明者： パルモア,ジョン・ダブリュー
出願人/特許権者： クリー・リサーチ・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 湯浅 恭三 (外6名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-513138
公開番号（公開出願番号）：特表平8-505492
出願日： 1993年10月27日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】パワー金属酸化物半導体電界効果形トランジスタ(MOSFET)は、炭化ケイ素から形成された、ドルイン領域、チャンネル領域及びソース領域を有する。ドレイン領域は第1伝導形の炭化ケイ素基板と、同じ伝導形を有し、基板に隣接する炭化ケイ素のドルイン-ドリフト領域とを有する。チャンネル領域はドレイン-ドリフト領域に隣接し、ドレイン-ドリフト領域とは反対の伝導形を有する。ソース領域はチャンネル領域に隣接し、ドレイン-ドリフト領域と同じ伝導形を有する。このMOSFETはソース領域の第1部分、チャンネル領域の第1部分及びドレイン領域の第1部分上に形成されるゲート電極を含むゲート領域を有する。ソース電極はソース領域の第2部分及びチャンネル領域の第2部分上に形成される。また、ドレイン電極はドレイン領域の第2部分上に形成される。

請求項（抜粋）：

低オン抵抗と高温範囲とを有するパワー金属酸化物半導体電界効果形トランジスタ(MOSFET)であって、 炭化ケイ素基板と前記基板に隣接する炭化ケイ素のドレイン-ドリフト領域とを有する、炭化ケイ素のドレイン領域と; 前記ドレイン-ドリフト領域に隣接し、前記ドレイン-ドリフト領域とは反対の伝導形を有する、炭化ケイ素のチャンネル領域と; 前記チャンネル領域に隣接し、前記ドレイン-ドリフト領域と同じ伝導形を有する、炭化ケイ素のソース領域と; 前記チャンネル領域に隣接する絶縁層と; 前記絶縁層に隣接して形成されるゲート領域と; 前記ソース領域の第2部分に隣接して形成されるソース電極と; 前記ドレイン領域の第2部分に隣接して形成されるドレイン電極とを含むMOSFET。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-239778
  
• 特開平4-029368
  
• 特開昭55-156360