特許
J-GLOBAL ID：200903039021262713
面発光型半導体レーザの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-103719
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294528
出願日： 1997年04月21日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【課題】活性層直上にAlAs層が形成された面発光型半導体レーザ構造において、垂直共振器部のエッチング形状をそこなうことなく、AlAs層でエッチングを停止し、さらに後工程に影響を与えないドライエッチングを行う。【解決手段】素子内にAlAs層が少なくとも1層形成されている面発光型半導体レーザ半導体多層膜のドライエッチングにおいて、塩素ガスと窒素ガスまたはアンモニアガスを混合したガスにアルゴンガスを添加した混合ガスを放電することにより得られるプラズマを用いて選択エッチングを行うことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
素子内にAlAs層が少なくとも1層形成されている面発光型半導体レーザ半導体多層膜のドライエッチング工程を有する面発光型半導体レーザの製造方法において、塩素ガスと窒素ガスまたはアンモニアガスを混合したガスにアルゴンガスを添加した混合ガスを放電することにより得られるプラズマを用い、AlAs層で選択的にエッチングを停止させることを特徴とする面発光型半導体レーザの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18
, H01L 21/302 F
