特許

J-GLOBAL ID：200903039024246905

スパッタ堆積のための改善された銅ターゲット

発明者： ヴィクラム パヴァテ ,  セシャドリ ラマスワミ ,  ムラリ アブーリ ,  ムラリ ナラシムハン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-121779
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028350
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】 減少した欠陥密度を有する銅層を製造する経済的な銅ターゲットを提供する。【解決手段】 銅スパッタリングターゲットは減少した層内の欠陥密度を有する銅層を製造することを供給する。銅ターゲット材料の誘電性含有物を減少させることに加えて、銅ターゲットの硬度は45ロックウェル以上の範囲内に維持される。この範囲内で、アーク誘導の機械的欠陥からの発生は減少される。好ましくは、硬度は結晶粒子を50ミクロン以下に、最も好ましくは、25ミクロン以下に制限することにより達成される。好ましくは、表面粗さは20マイクロインチ以下に、又はより好ましくは、5マイクロインチ以下に制限され、電界増加型放出からの欠陥の発生を減少させる。好ましくは、この結晶粒子サイズの範囲は銅ターゲット材料の純度レベルを99.9999%以下のレベルに、好ましくは99.995%と99.9999%の範囲内に制限することにより達成され、特定の不純物レベルを減少する。

請求項（抜粋）：

半導体デバイス製造で使用する銅ターゲットであって、45ロックウェル以上の硬度を有することを特徴とする銅ターゲット。

IPC (5件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C22C 9/00 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203

FI (5件)：

H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 Z ,  C22C 9/00 ,  C23C 14/34 A ,  H01L 21/203 S

引用特許：

審査官引用 (1件)

• スパッタリング用銅ターゲットおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-344254   出願人：日立金属株式会社