特許

J-GLOBAL ID：200903039025209280

金属の疲労損傷度の評価法

発明者： 福岡 千枝 ,  吉澤 廣喜 ,  森島 敬子 ,  木原 重光
出願人/特許権者： 石川島播磨重工業株式会社
代理人 (1件)： 原田 卓治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-020110
公開番号（公開出願番号）：特開平10-206355
出願日： 1997年01月17日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 電子線背面反射分析法などで分析される結晶粒界の詳細な方位変化から金属材料の疲労損傷度を知ることができる金属の疲労損傷度の評価法を提供することにある。【解決手段】 被測定部から採取した試料を研磨して電子線背面反射分析または電子線チャネリングパターン解析を行って、セル間の方位差を測定し、測定された方位差を、一定角度ステップごとにマッピング表示するとともに、一定角度ステップごとの方位差分布のヒストグラムを作成しておき、同一試料を光学顕微鏡で観察した結晶粒界と同一若しくは近似したマッピング表示となっている角度を臨界角度と定め、この臨界角度以下の方位差分布のヒストグラムのみを用いてセル間の方位差の角度平均値を求めるようにする。この臨界角度を定め、詳細に解析されたセル間の方位差と金属の組織の疲労損傷度との関係を明確にし、同一手法で既知の疲労損傷度の同一組成材料についての校正曲線を求めておくことで、高精度に疲労損傷度の定量的評価を行う。

請求項（抜粋）：

被測定部から電子線背面反射分析用または電子線チャネリングパターン解析用の試料を採取する工程と、この試料について前記電子線背面反射分析または電子線チャネリングパターン解析を一定ステップごとに行って結晶粒界の方位差を測定する工程と、この解析結果による方位差を一定角度ステップごとにマッピング表示する工程と、前記解析結果による方位差から一定角度ステップごとの方位差分布のヒストグラムを作成する工程と、前記試料に対する光学顕微鏡で観察される結晶粒界と前記一定角度ステップごとにマッピング表示された表示結果とを比較して観察結晶粒界と同一若しくは近似するマッピング表示の角度を臨界角度と定め、当該臨界角度以下のみの前記ヒストグラムから結晶粒界の方位差の角度平均値を求める工程と、予め求めておいた同一組成材料の既知の疲労損傷度と結晶粒界の方位差の前記臨界角度以下のみの角度平均値との関係から前記試料の角度平均値に対する疲労損傷度を求める工程とからなることを特徴とする金属の疲労損傷度の評価法。

IPC (3件)：

G01N 23/203 ,  G01N 1/04 ,  G21C 17/003

FI (3件)：

G01N 23/203 ,  G01N 1/04 X ,  G21C 17/00 E