特許
J-GLOBAL ID：200903039036578318
Cu/W基材のめっき処理方法及び放熱用Cu/W基板を備えたセラミックパッケージの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-340352
公開番号（公開出願番号）：特開平8-176848
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月09日
要約：
【要約】【構成】 Wの多孔質焼結体に溶融Cuを含浸して得られるCu/W基材にNiめっき処理を施す方法において、Cu/W基材にベーキング処理を施すベーキング処理工程、ベーキング処理が施されたCu/W基材にスルファミン酸浴を用いたNi電解めっき処理を施す第1めっき処理工程、第1めっき処理工程が施されたCu/W基材をシンター処理する工程、及び該シンター処理されたにCu/W基材にワット浴を用いたNi電解めっき処理を施す第2めっき処理工程を含んでいるCu/W基材のめっき処理方法。【効果】 第1めっき処理工程で比較的粗で水分の排出され易いめっき被膜を形成するため、その後のシンター処理工程で容易に緻密で欠陥のない被膜を容易に形成することができ、第2めっき処理工程では被膜の上に耐エッチング特性の良好な緻密な被膜を容易に形成することができ、その結果セラミックパッケージ用として好適な放熱用Cu/W基板を製造することができる。
請求項（抜粋）：
Wの多孔質焼結体に溶融Cuを含浸して得られるCu/W基材にNiめっき処理を施す方法において、前記Cu/W基材にベーキング処理を施すベーキング処理工程、前記ベーキング処理が施されたCu/W基材にスルファミン酸浴を用いたNi電解めっき処理を施す第1めっき処理工程、該第1めっき処理工程が施されたCu/W基材をシンター処理する工程、及び該シンター処理されたCu/W基材にワット浴を用いたNi電解めっき処理を施す第2めっき処理工程を含んでいることを特徴とするCu/W基材のめっき処理方法。
IPC (6件)：
C23C 28/02
, C25D 5/34
, H01L 23/12
, H01L 23/373
, C25D 3/12
, C25D 3/12 102
H01L 23/12 J
, H01L 23/36 M
