粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：重野剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-240458
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092684
出願日： 1996年09月11日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】高誘電率で特性のバラツキの小さい粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを提供する。【解決手段】単位結晶粒子の定方向径のCV値が60%以下である粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ。セラミックス粉末に焼結性改善剤を配合した原料を成形,焼成して半導体磁器素地を得、これに絶縁化剤を熱拡散させて粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを製造するに当り、焼結性改善剤として火炎加水分解法により得られたSiO2 及び/又はAl2 O3 粉体を用いる。

請求項（抜粋）：

磁器素地の単位結晶粒子の定方向径のCV値が60%以下であることを特徴とする粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ。

IPC (2件)：

H01G 4/12 322 , H01G 4/12 325

FI (2件)：

H01G 4/12 322 , H01G 4/12 325

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