スパッタリング装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-312257
公開番号（公開出願番号）：特開平9-157843
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月17日
要約：

【要約】【課題】簡単な構成で、磁性体薄膜の高速成膜、および広域エロージョン化によるターゲット利用効率の向上を実現するスパッタリング装置を提供する。【解決手段】矩形平板状のターゲット1の表面と平行に磁力線3が通り、かつ、磁力線3の方向と略平行な方向のターゲット1の中心線Aに対して磁力線3の強度が左右対称で方向が逆となるように永久磁石2を配置し、ターゲット1の表面と永久磁石2の底面との間のターゲット1の表面に垂直方向の距離をa、ターゲット1とターゲット1に隣接する側の永久磁石2の側面との間のターゲット表面に水平方向の距離をb、ターゲット表面に垂直方向の永久磁石2の厚みをh、永久磁石2の減磁曲線と原点からパーミアンス係数の傾きで引いた直線との交点である作動点における磁束密度を1テスラで規格化した磁束密度をBn とした場合に、-1.3h・Bn ≦a≦1.7h・Bn 、0≦b≦h・Bn の関係を満足する。

請求項（抜粋）：

矩形平板状のターゲットの表面と平行に磁力線が通り、かつ、前記磁力線の方向と略平行な方向の前記ターゲットの中心線に対して前記磁力線の強度が左右対称で方向が逆となるように、永久磁石を前記ターゲットを挟んで両側に配置したスパッタリング電極を備え、前記ターゲットの表面と前記永久磁石の底面との間の前記ターゲットの表面に垂直方向の距離をa、前記ターゲットの表面に垂直方向の前記永久磁石の厚みをh、前記永久磁石の減磁曲線と原点からパーミアンス係数の傾きで引いた直線との交点である作動点における磁束密度を1T(テスラ)で規格化した磁束密度をBn とした場合に、-1.3h・Bn ≦a≦1.7h・Bnの関係を満足することを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (5件)：

C23C 14/35 , G11B 5/127 , G11B 5/31 , G11B 5/85 , H01F 41/18

FI (5件)：

C23C 14/35 E , G11B 5/127 K , G11B 5/31 C , G11B 5/85 C , H01F 41/18

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-124567
特開平2-182879
特開昭62-149868

全件表示

前のページに戻る