特許

J-GLOBAL ID：200903039042997683

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 加藤 正高 ,  宿利 章二 ,  久本 大
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-133145
公開番号（公開出願番号）：特開平6-350097
出願日： 1993年06月03日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【構成】p型半導体基板1上に互いに分離して設けられたn型のドレイン領域8およびソース領域9を備えたデータ読み出し領域と、p型半導体基板1上に均一な膜厚を有するゲート絶縁膜2,浮遊ゲート電極3,層間絶縁膜4,浮遊ゲート電極5,層間絶縁膜6,制御ゲート7の積層構造を有する記憶領域を備えたMOSトランジスタの1素子をメモリセルとし、2層の浮遊ゲート電極間のトンネル現象を用いて浮遊ゲート電極3と浮遊ゲート電極5間で電子の密度を制御することにより電気的書換えを行う。【効果】書き換え回数に依存したメモリセルの読み出し動作の劣化がない。また、書換え動作電圧を発生するのに必要な昇圧および降圧回路をチップ内に形成でき、微細構造で3V外部単一電源駆動が可能な不揮発性半導体記憶装置が提供できる。

請求項（抜粋）：

データ読み出し領域と記憶領域を積層し、前記記憶領域が複数の記憶単位の積層構造からなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/10 471

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 D