特許

J-GLOBAL ID：200903039046285300

分子線エピタキシャル成長方法

発明者： 山田 千樫
出願人/特許権者： 光技術研究開発株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-000462
公開番号（公開出願番号）：特開平7-206595
出願日： 1994年01月07日
公開日（公表日）： 1995年08月08日
要約：

【要約】【目的】 炭素汚染のない高純度な成長層を得ることができる分子線エピタキシャル成長方法を提供することにある。【構成】 III 族元素のソース材料としてIII 族元素の水素化物を用いてIII -V族化合物半導体結晶を成長させている。

請求項（抜粋）：

III 族元素のソース材料としてIII 族元素の水素化物を用いてIII -V族化合物半導体結晶を成長させることを特徴とする分子線エピタキシャル成長方法。

IPC (3件)：

C30B 29/40 502 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/203