半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (11件)：前田弘 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-225358
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053283
出願日： 2006年08月22日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：

【課題】金属窒化膜からなるゲート電極を有するMOSFETにおいて、ゲート電極の窒素組成を容易に制御することを可能とする半導体装置の製造方法を実現できるようにする。【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板11の上に絶縁膜15を形成する工程(a)と、絶縁膜15の上に窒素を含まない材料かなる膜である第1の導電膜16を形成する工程(b)と、第1の導電膜16の上に窒素を含む材料からなる膜である第2の導電膜18を形成する工程(c)と、第2の導電膜18及び第1の導電膜16をパターニングしてゲート電極を形成すると共に、絶縁膜15をパターニングしてゲート絶縁膜を形成する工程(d)とを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に絶縁膜を形成する工程(a)と、前記絶縁膜の上に窒素を含まない材料からなる第1の導電膜を形成する工程(b)と、前記第1の導電膜の上に窒素を含む材料からなる第2の導電膜を形成する工程(c)と、前記第1の導電膜及び第2の導電膜をパターニングしてゲート電極を形成すると共に、前記絶縁膜をパターニングしてゲート絶縁膜を形成する工程(d)とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/28 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L27/08 321D , H01L29/58 G , H01L21/28 301R , H01L29/78 301G

Fターム (90件)：

4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB19 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104BB27 , 4M104BB28 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB34 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD37 , 4M104DD41 , 4M104DD42 , 4M104DD71 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104EE09 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F048AC03 , 5F048BA10 , 5F048BB05 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB13 , 5F048BB15 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BG13 , 5F048DA20 , 5F048DA23 , 5F140AA00 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BE02 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF03 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF14 , 5F140BF17 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF24 , 5F140BF27 , 5F140BF34 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG30 , 5F140BG38 , 5F140BG39 , 5F140BG51 , 5F140BG53 , 5F140BH14 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK01 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140BK38 , 5F140BK39 , 5F140CB04 , 5F140CB08

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