特許
J-GLOBAL ID：200903039048730581
絶縁膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-180049
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029300
出願日： 1991年07月22日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】ECRプラズマCVD装置を用い、LSIを構成する微細構造のアルミ合金配線をSiO2 絶縁膜で覆う際の絶縁膜形成方法として、配線ダメージをもたらさず、LSI製品の寿命を伸ばすことのできる絶縁膜形成方法を提供する。【構成】基板の表面温度を成膜開始前に所定温度まであげた後に成膜し、成膜中の温度を230〜260°C範囲内に保つ方法として、成膜後のアニーリング熱処理時の配線ダメージの原因となる膜内応力の変化 (圧縮応力から引張り応力への変化) を生じさせる水分のない,透水性の小さい膜を、配線の熱ストレスダメージをもたらさない温度以下で形成する。
請求項（抜粋）：
筒状に形成され両端面にそれぞれマイクロ波導入窓とプラズマ引出し窓とを備えるとともに内部にマイクロ波との電子サイクロトロン共鳴を生じさせる磁場領域を形成する主ソレノイドを同軸に備えたプラズマ生成室と、前記プラズマ引出し窓を介してプラズマ生成室と連通し被成膜基板へのRFバイアス印加可能に形成された基板ホールダを内包する反応室と、被成膜基板にRFバイアスを印加するための高周波電源とを備えたプラズマCVD装置を用い、N2OまたはO2 ガスをプラズマ生成室に導入するとともにSiH4 またはSi2 H6 ガスを反応室に導入して被成膜基板表面にSiO2 絶縁膜を形成させる際の絶縁膜形成方法であって、被成膜基板の表面温度を成膜開始前に所定の温度に上昇させた後成膜を開始し、成膜中被成膜基板の表面温度を230〜260°Cの範囲内に保つことを特徴とする絶縁膜形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/31
, C30B 25/10
, H01L 21/324
, H01L 21/90
, H01L 27/10 311
