特許
J-GLOBAL ID：200903039048965503
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-182927
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037893
出願日： 1993年07月23日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】今後の素子の微細化に要求される高温短時間あるいは低温の熱処理でもシリコン基板内の汚染物質を十分に取り除くことができるゲッタリングを提供すること。【構成】シリコン基板1の全面に、ピーク濃度が1020 atoms/cm 2 以上の濃度分布を有するボロンを含むアモルファスシリコン膜2を形成する工程と、アモルファスシリコン膜2を固相成長により単結晶シリコン膜3に変える工程と、熱処理によって、シリコン基板1内の汚染物質を単結晶シリコン膜3内に取り込む工程とを有する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、このシリコン基板上の少なくとも一部分に形成され、ピーク濃度が1020 atoms/cm 2 以上の濃度分布を有するボロンまたはリンの少なくとも一方を含み、素子が形成されてない単結晶シリコン膜とを有することを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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