特許
J-GLOBAL ID：200903039050175528
半導体製造装置のプロセスチャンバ構造および半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-190190
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017477
出願日： 2001年06月22日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：
【要約】【課題】 ガスの分布や流れの均一性を向上させることができる半導体製造装置のプロセスチャンバ構造および半導体製造装置を提供する。【解決手段】 熱CVD装置1のプロセスチャンバ2は、ガス排気口3aを有するチャンバボディ3と、リッド5及びシャワーヘッド10を含むチャンバ蓋体12と、ガス排気口3aと連通した複数の貫通孔14を有する環状の排気路形成部材15とを有している。この排気路形成部材15には、上下方向に延びる筒状体18が固定されている。シャワーヘッド10のガス噴射面10aには環状突出部19が取り付けられ、この環状突出部19は、筒状体18の内周面との間に上下方向に延びる微小な隙間G2を形成するように構成されている。リッド5の下面には環状突出部20が取り付けられ、この環状突出部20は、筒状体18の外周面との間に上下方向に延びる微小な隙間G4を形成するように構成されている。
請求項（抜粋）：
ガス排気口を有するチャンバボディと、前記チャンバボディの上部に設けられ、ガス導入口を有するチャンバ蓋体と、前記チャンバボディの内壁部に設けられ、前記ガス排気口と連通した複数の貫通孔を有する環状の排気路形成部材とを備え、前記チャンバ蓋体には、前記排気路形成部材との間に上下方向に延びる隙間を形成する環状突出部が設けられている半導体製造装置のプロセスチャンバ構造。
Fターム (16件)：
5F045AA03
, 5F045AB33
, 5F045AC01
, 5F045AC12
, 5F045AD12
, 5F045AE25
, 5F045BB02
, 5F045EB02
, 5F045EC01
, 5F045EE14
, 5F045EE20
, 5F045EF05
, 5F045EF20
, 5F045EG02
, 5F045EK09
, 5F045EM10
