特許

J-GLOBAL ID：200903039053485358

エッチング装置及びパタ-ン形成基板の製造方法

発明者： 平岩 卓
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-009162
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208494
出願日： 1999年01月18日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 ドライエッチングにおいて、均一にしかも効率良くエッチング処理を行う。【解決手段】 処理ステージ72に、処理ステージ72上に載置されたTFTアレイ基板60の中央付近を囲うように複数の吹き出し孔77が設けると共に、そのほぼ中央に対応する位置に吸引孔79が設ける。そして、ドライエッチングの際に、吹き出し孔77からTFTアレイ基板60の裏面へ供給された冷却ガスを吸引孔79により吸引する。

請求項（抜粋）：

被処理基板が載置されると共に、載置された被処理基板の一方の面へ冷却ガスを吹き出すための吹き出し孔及び吹き出された冷却ガスを吸引するための吸引孔が設けられた処理ステージと、前記処理ステージに載置された被処理基板の外周を処理ステージ上に固定するための固定手段と、前記処理ステージに載置された被処理基板に対してドライエッチング処理を施す処理手段とを具備することを特徴とするエッチング装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 29/78 627 C

Fターム (46件)：

5F004AA00 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB21 ,  5F004BB25 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB08 ,  5F004DB09 ,  5F004DB16 ,  5F004DB31 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE04 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110HM18 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110PP10 ,  5F110PP33