特許

J-GLOBAL ID：200903039055324858

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 榎本 裕之 ,  船津 圭亮
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-293855
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139423
出願日： 1995年11月13日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】 高アスペクト比のコンタクトホール加工を容易に実現できる技術を提供する。【解決手段】 複数の半導体素子が形成されている半導体基板1の上に炭素を含んでいる有機SOG膜などの絶縁膜8を形成した後、絶縁膜8の表面に酸化シリコン膜などの絶縁膜9を形成する工程と、絶縁膜9の表面に選択エッチング用マスクパターンを有するフォトレジスト膜10を形成した後、絶縁膜9を選択エッチング技術を用いてコンタクトホール11を形成する工程と、絶縁膜9を選択エッチング用マスクとして使用して、絶縁膜8を選択エッチング技術を用いてコンタクトホール11を形成する工程とを有するものである。

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子が設けられている基体の上の炭素を含んでいる第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の表面に設けられていると共に炭素が含まれていない第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜の表面に設けられている配線層とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28

FI (4件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/28 M ,  H01L 21/90 M