特許
J-GLOBAL ID：200903039064525580
共鳴トンネル障壁構造とその製作方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-350661
公開番号（公開出願番号）：特開平5-167086
出願日： 1991年12月12日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】 量子箱を用いた共鳴トンネル障壁構造が本来持っている大きなピークを実現可能にする。【構成】 第1のGaAsバッファ層202と、このバッファ層202中のキャリアに対して障壁として作用する第1および第2のAlAs障壁層203,205と、これら第1,第2の障壁層で挟まれたGaAS量子井戸層204と、Al金属粒101を含む金属錘体102から構成する。そして、この金属錘体102は、その頂点が量子井戸層204に対して第1のバッファ層202と対向した位置にある第2の障壁層205中にあり、量子井戸層204と反対方向に広がった構造を有する。これにより、電子の閉じ込め領域およびその近傍において、エッチング,再成長に伴って導入される加工ダメージが皆無となり、量子箱における量子準位を反映した共鳴トンネル特性が得られる。
請求項（抜粋）：
第1の半導体薄膜と、第1の半導体薄膜中のキャリアに対して障壁として作用する第1および第2の障壁層と、第1および第2の障壁層で挟まれた量子井戸層と、金属錘体とからなり、上記金属錘体は、その頂点が上記量子井戸層に対して第1の半導体薄膜と対向した位置にある第2の障壁層中にあり、上記量子井戸層と反対方向に広がった構造を有することを特徴とする共鳴トンネル障壁構造。
IPC (3件)：
H01L 29/88
, H01L 29/06
, H01L 29/68
