特許

J-GLOBAL ID：200903039082595057

マスクパターンの形成方法、薄膜パターンの形成方法、磁気抵抗効果素子の製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法

発明者： 柿原 芳彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-013319
公開番号（公開出願番号）：特開2002-214799
出願日： 2001年01月22日
公開日（公表日）： 2002年07月31日
要約：

【要約】【課題】 リフトオフ法により狭小な幅を有するパターンを形成する際に、リフトオフされてパターニングされる層の膜厚や、レジストの切れ込み形状などの寸法形状の限界を越えた、より微細な幅を有するパターンの形成を可能にする。【解決手段】 マスクパターン形成面上に第1のレジスト32を塗布する第1の塗布工程と、第1のレジスト32上に第2のレジスト33を塗布する第2の塗布工程と、第1及び第2のレジスト32及び33を所定のパターンに露光し、第1及び第2のレジスト中に、目的とするマスクパターンの外側部33bと、このマスクパターンすなわちブリッジ部33aの両端とが連結されて保持されるブリッジ状パターンの潜像、もしくはブリッジ状パターンの反転パターンの潜像を形成する露光工程と、第1及び第2のレジスト32及び33に対し、異なる溶解速度を有する現像液によって、第1のレジスト32をブリッジ状パターンのブリッジ部を除去して外側部のみを残存するパターンに現像し、第2のレジスト33をブリッジ状パターンに現像する。

請求項（抜粋）：

マスクパターン形成面上に第1のレジストを塗布する第1の塗布工程と、上記第1のレジスト上に第2のレジストを塗布する第2の塗布工程と、上記第1及び第2のレジストを所定のパターンに露光し、上記第1及び第2のレジスト中に、目的とするマスクパターンの外側部と、該マスクパターンの両端とが連結されて保持されるブリッジ状パターンの潜像、もしくは該ブリッジ状パターンの反転パターンの潜像を形成する露光工程と、上記第1及び第2のレジストに対し、異なる溶解速度を有する現像液によって、上記第1のレジストを上記ブリッジ状パターンのブリッジ部を除去して上記外側部のみを残存するパターンに現像し、上記第2のレジストを上記ブリッジ状パターンに現像することを特徴とするマスクパターンの形成方法。

IPC (6件)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/26 513 ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/14 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (6件)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/26 513 ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/14 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12

Fターム (16件)：

2H096AA27 ,  2H096BA09 ,  2H096EA02 ,  2H096EA04 ,  2H096EA06 ,  2H096GA08 ,  2H096KA02 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034CA06 ,  5D034DA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049DB11 ,  5E049FC06